デュアルMOSFET(Nch+Nch) SSM6N42FE
◆特徴
パワーマネジメントスイッチ 高速スイッチング 1.5V駆動です
小型パッケージにNchを2素子内蔵
パワーマネジメントスイッチ 高速スイッチング 1.5V駆動です
小型パッケージにNchを2素子内蔵
■主な仕様
・種別：N+N
・内部接続：独立
・ドレインソース間電圧Pch：20V
・ドレイン電流DCPch：800mA
・ゲートソース間電圧Pch：±10V
・オン抵抗Pch：185mΩ
・ドレインソース間電圧Nch：20V
・ドレイン電流DCNch：800mA
・ゲートソース間電圧Nch：±10V
・オン抵抗Nch：185mΩ
・許容損失max.：150mW
・動作温度min.：-55℃
・動作温度max.：150℃
・実装タイプ：表面実装
・パッケージ：2-2N1D
・パッケージタイプ：SOT563
表面実装部品(チップ部品)
/
半導体(モジュール)
/
FET
/
MOSFET
/
チップFET
・種別：N+N
・内部接続：独立
・ドレインソース間電圧Pch：20V
・ドレイン電流DCPch：800mA
・ゲートソース間電圧Pch：±10V
・オン抵抗Pch：185mΩ
・ドレインソース間電圧Nch：20V
・ドレイン電流DCNch：800mA
・ゲートソース間電圧Nch：±10V
・オン抵抗Nch：185mΩ
・許容損失max.：150mW
・動作温度min.：-55℃
・動作温度max.：150℃
・実装タイプ：表面実装
・パッケージ：2-2N1D
・パッケージタイプ：SOT563
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