NchMOSFET 30V3.5A SSM3K329R
東芝の高速スイッチングパワーMOSFETです。オン抵抗が低いです(125mΩ@4V)。Vthが低く、ロジックレベルでの駆動がしやすいです。
■主な仕様
・チャネル：N
・ドレインソース間電圧：30V
・ドレイン電流DC：3.5A
・ピークドレイン電流：7A
・ゲートソース間電圧：±12V
・ゲート漏れ電流：±1μA
・オン抵抗：96mΩ
・許容損失max.：2W
・実装タイプ：表面実装
・パッケージ：SOT-23F(2-3Z1A)
・パッケージタイプ：SOT23
表面実装部品(チップ部品)
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半導体(モジュール)
/
FET
/
NchFET(2SK)
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MOSFET
・チャネル：N
・ドレインソース間電圧：30V
・ドレイン電流DC：3.5A
・ピークドレイン電流：7A
・ゲートソース間電圧：±12V
・ゲート漏れ電流：±1μA
・オン抵抗：96mΩ
・許容損失max.：2W
・実装タイプ：表面実装
・パッケージ：SOT-23F(2-3Z1A)
・パッケージタイプ：SOT23
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| 商品イベント履歴 | |
|---|---|
| 2024/02/26 | 型番が更新されました。SSM3K329R (LF→SSM3K329R,LF |
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