NchパワーMOSFET 60V100A TK3R2E06PL
東芝のTO-220パッケージ、NchパワーMOSFETです。省エネを実現する低耐圧トレンチ構造のU-MOS IX-Hプロセスにより低オン抵抗、低ゲート入力電荷量を実現しています。Vthが低くロジック駆動に適しています。またオン抵抗は2.4mΩと低くなっています。
■一覧
■主な仕様
・チャネル：N
・ドレインソース間電圧：60V
・ドレイン電流DC：100A
・ピークドレイン電流：400A
・ゲートソース間電圧：±20V
・ゲート漏れ電流：±0.1μA
・オン抵抗：2.4mΩ
・許容損失max.：168W
・実装タイプ：スルーホール
・パッケージ：TO-220
・パッケージタイプ：TO220
半導体(モジュール)
/
FET
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NchFET(2SK)
/
MOSFET
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Nch MOSFET
・チャネル：N
・ドレインソース間電圧：60V
・ドレイン電流DC：100A
・ピークドレイン電流：400A
・ゲートソース間電圧：±20V
・ゲート漏れ電流：±0.1μA
・オン抵抗：2.4mΩ
・許容損失max.：168W
・実装タイプ：スルーホール
・パッケージ：TO-220
・パッケージタイプ：TO220
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