NchパワーMOSFET 600V4A MTN4N60CJ3
CystechのNch MOSFETです。高耐圧(600V)、大電流(4A)、低Qg(14.1nC)を特徴とします。業界標準のTO-252(DPAK)パッケージで放熱に優れています。こちらはお客様からご要望がございました。各種部品、半導体、機構部品等のご要望をお待ちしております。商品リクエスト入力フォーム
■主な仕様
・チャネル:N
・ドレインソース間電圧:600V
・ドレイン電流DC:4A
・ピークドレイン電流:16A
・ゲートソース間電圧:±30V
・ゲート漏れ電流:±100nA
・オン抵抗:1.8Ω
・許容損失max.:50W
・動作温度min.:-55℃
・動作温度max.:150℃
・実装タイプ:表面実装
・パッケージ:TO-252(DPAK)
・パッケージタイプ:TO252
表面実装部品(チップ部品)
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半導体(モジュール)
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FET
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NchFET(2SK)
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MOSFET
・チャネル:N
・ドレインソース間電圧:600V
・ドレイン電流DC:4A
・ピークドレイン電流:16A
・ゲートソース間電圧:±30V
・ゲート漏れ電流:±100nA
・オン抵抗:1.8Ω
・許容損失max.:50W
・動作温度min.:-55℃
・動作温度max.:150℃
・実装タイプ:表面実装
・パッケージ:TO-252(DPAK)
・パッケージタイプ:TO252
関連商品
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