高周波パワーMOSFET 2SK3074TE12LF
東芝の高周波増幅用のパワーMOSFETです。
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- ・SOT-89変換基板：110835
■主な仕様
・チャネル：N
・ドレインソース間電圧：30V
・ドレイン電流DC：1A
・ゲートソース間電圧：25V
・ゲート漏れ電流：5μA
・許容損失max.：3W
・実装タイプ：表面実装
・パッケージ：SC-62(2-5K1D)
・パッケージタイプ：SOT89
表面実装部品(チップ部品)
/
半導体(モジュール)
/
FET
/
MOSFET
/
Nch MOSFET
・チャネル：N
・ドレインソース間電圧：30V
・ドレイン電流DC：1A
・ゲートソース間電圧：25V
・ゲート漏れ電流：5μA
・許容損失max.：3W
・実装タイプ：表面実装
・パッケージ：SC-62(2-5K1D)
・パッケージタイプ：SOT89
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○メーカーの包装や箱から一度取り出して別の袋や箱に詰め直して出荷する場合があります。