NchパワーMOSFET 100V70A TPH4R10ANL
東芝のNchパワーMOSFETです。スイッチングスピードが速い、ゲート入力電荷量が小さい、出力電荷量が小さい、オン抵抗が低い、漏れ電流が低いといった特徴があります。取り扱いが容易なエンハンスメントタイプのMOSFETです。
■一覧
■主な仕様
・チャネル：N
・ドレインソース間電圧：100V
・ドレイン電流DC：70A
・ピークドレイン電流：490A
・ゲートソース間電圧：±20V
・ゲート漏れ電流：±0.1μA
・オン抵抗：3.3mΩ
・許容損失max.：67W
・実装タイプ：表面実装
・パッケージ：SOP Advance(2-5Q1S)
・パッケージタイプ：SOP8
表面実装部品(チップ部品)
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半導体(モジュール)
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FET
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NchFET(2SK)
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MOSFET
・チャネル：N
・ドレインソース間電圧：100V
・ドレイン電流DC：70A
・ピークドレイン電流：490A
・ゲートソース間電圧：±20V
・ゲート漏れ電流：±0.1μA
・オン抵抗：3.3mΩ
・許容損失max.：67W
・実装タイプ：表面実装
・パッケージ：SOP Advance(2-5Q1S)
・パッケージタイプ：SOP8
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