NchパワーMOSFET 500V9.7A TK10P50W
東芝のNチャンネルMOSFETです。スーパージャンクション構造、第4世代DTMOSの採用により、オン抵抗が低い(RDS(ON)=0.327Ωtyp)です。取り扱いが容易なエンハンスメントタイプです。業界標準のDPAKパッケージにより既存のMOSFETの置き換えにも最適です。
■主な仕様
・チャネル：N
・ドレインソース間電圧：500V
・ドレイン電流DC：9.7A
・ピークドレイン電流：38.8A
・ゲートソース間電圧：±30V
・ゲート漏れ電流：±1μA
・オン抵抗：327mΩ
・許容損失max.：80W
・実装タイプ：表面実装
・パッケージ：DPAK(2-7K1S)
・パッケージタイプ：TO252
表面実装部品(チップ部品)
/
半導体(モジュール)
/
FET
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NchFET(2SK)
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MOSFET
・チャネル：N
・ドレインソース間電圧：500V
・ドレイン電流DC：9.7A
・ピークドレイン電流：38.8A
・ゲートソース間電圧：±30V
・ゲート漏れ電流：±1μA
・オン抵抗：327mΩ
・許容損失max.：80W
・実装タイプ：表面実装
・パッケージ：DPAK(2-7K1S)
・パッケージタイプ：TO252
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