ダーリントントランジスタ TTB1020B
抵抗入りのダーリントントランジスタです。hFEが大きい(2000min)、コレクタ・エミッタ間飽和電圧が低い(VCE(sat)=1.5Vmax)、TO-220フルモールドパッケージといった特徴があります。
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■主な仕様
・接合構造：PNPダーリントン
・コレクタエミッタ間電圧：-100V
・コレクタベース間電圧：-100V
・エミッタベース間電圧：-5V
・コレクタ電流：-7A
・ベース電流：-0.7A
・コレクタエミッタ飽和電圧：-0.95V
・ベースエミッタ飽和電圧：-1.55V
・許容損失max.：30W
・直流電流増幅率min.：2000
・直流電流増幅率max.：15000
・実装タイプ：スルーホール
・パッケージ：TO-220SIS
・パッケージタイプ：TO220F
半導体(モジュール)
/
トランジスタ(BJT)
/
PNPトランジスタ
/
ダーリントントランジスタ
/
PNPダーリントントランジスタ
・接合構造：PNPダーリントン
・コレクタエミッタ間電圧：-100V
・コレクタベース間電圧：-100V
・エミッタベース間電圧：-5V
・コレクタ電流：-7A
・ベース電流：-0.7A
・コレクタエミッタ飽和電圧：-0.95V
・ベースエミッタ飽和電圧：-1.55V
・許容損失max.：30W
・直流電流増幅率min.：2000
・直流電流増幅率max.：15000
・実装タイプ：スルーホール
・パッケージ：TO-220SIS
・パッケージタイプ：TO220F
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