デュアルMOSFET(Nch+Nch) 20V2.7A FDC6305N
ON Semiconductor(旧Fairchild)の2素子入りパワーMOSFETです。トレンチ構造により低オン抵抗、スレッショルド電圧2.5Vを実現しています。各素子はそれぞれ独立しています。
■主な仕様
・種別:N+N
・内部接続:独立
・ドレインソース間電圧Nch:20V
・ドレイン電流DCNch:2.7A
・ゲートソース間電圧Nch:±8V
・オン抵抗Nch:60mΩ
・ドレインソース間電圧Nch:20V
・ドレイン電流DCNch:2.7A
・ゲートソース間電圧Nch:±8V
・オン抵抗Nch:60mΩ
・許容損失max.:960mW
・動作温度min.:-55℃
・動作温度max.:150℃
・実装タイプ:表面実装
・パッケージ:SuperSOT-6(SOT-23-6)
・パッケージタイプ:SOT23-6
表面実装部品(チップ部品)
/
半導体(モジュール)
/
FET
/
MOSFET
/
チップFET
・種別:N+N
・内部接続:独立
・ドレインソース間電圧Nch:20V
・ドレイン電流DCNch:2.7A
・ゲートソース間電圧Nch:±8V
・オン抵抗Nch:60mΩ
・ドレインソース間電圧Nch:20V
・ドレイン電流DCNch:2.7A
・ゲートソース間電圧Nch:±8V
・オン抵抗Nch:60mΩ
・許容損失max.:960mW
・動作温度min.:-55℃
・動作温度max.:150℃
・実装タイプ:表面実装
・パッケージ:SuperSOT-6(SOT-23-6)
・パッケージタイプ:SOT23-6
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