PchパワーMOSFET 55V18A IRFU5505PBF
第5世代HEXFET®シリーズのPchパワーMOSFETです。
極めて低いオン抵抗に加え、高速スイッチング対応で幅広い用途に適しています。
特長
・第5世代HEXFET®
・極めて低いオン抵抗
・アバランシェ耐量保証
・鉛フリー
極めて低いオン抵抗に加え、高速スイッチング対応で幅広い用途に適しています。
特長
・第5世代HEXFET®
・極めて低いオン抵抗
・アバランシェ耐量保証
・鉛フリー
■主な仕様
・チャネル：P
・ドレインソース間電圧：-55V
・ドレイン電流DC：-18A
・ピークドレイン電流：-64A
・ゲートソース間電圧：±20V
・ゲート漏れ電流：±100nA
・オン抵抗：110mΩ
・許容損失max.：57W
・動作温度min.：-55℃
・動作温度max.：150℃
・実装タイプ：スルーホール
・パッケージ：TO-251AA
・パッケージタイプ：TO251
半導体(モジュール)
/
FET
/
PchFET(2SJ)
/
MOSFET
/
Pch MOSFET
・チャネル：P
・ドレインソース間電圧：-55V
・ドレイン電流DC：-18A
・ピークドレイン電流：-64A
・ゲートソース間電圧：±20V
・ゲート漏れ電流：±100nA
・オン抵抗：110mΩ
・許容損失max.：57W
・動作温度min.：-55℃
・動作温度max.：150℃
・実装タイプ：スルーホール
・パッケージ：TO-251AA
・パッケージタイプ：TO251
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