NchパワーMOSFET 600V13A TK13A60D
東芝π-MOS VIIではMOSゲートセルを微細化し、600V耐圧品としては、オン抵抗を抑えています。漏れ電流が低く取り扱いが容易なエンハンスメントタイプのMOSFETです。
■主な仕様
・チャネル：N
・ドレインソース間電圧：600V
・ドレイン電流DC：13A
・ピークドレイン電流：52A
・ゲートソース間電圧：±30V
・ゲート漏れ電流：±1μA
・オン抵抗：330mΩ
・許容損失max.：50W
・実装タイプ：スルーホール
・パッケージ：TO-220SIS(SC-67/2-10R1B)
・パッケージタイプ：TO220
半導体(モジュール)
/
FET
/
NchFET(2SK)
/
MOSFET
/
Nch MOSFET
・チャネル：N
・ドレインソース間電圧：600V
・ドレイン電流DC：13A
・ピークドレイン電流：52A
・ゲートソース間電圧：±30V
・ゲート漏れ電流：±1μA
・オン抵抗：330mΩ
・許容損失max.：50W
・実装タイプ：スルーホール
・パッケージ：TO-220SIS(SC-67/2-10R1B)
・パッケージタイプ：TO220
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