MOSFET SSM6L36FE
1つのパッケージにNchとPchのMOSFETが入っています。※現品表示:LL4
○高速スイッチング
○高速スイッチング
■主な仕様
・種別:P+N
・内部接続:独立
・ドレインソース間電圧Pch:-20V
・ドレイン電流DCPch:330mA
・ゲートソース間電圧Pch:±8V
・オン抵抗Pch:950mΩ
・ドレインソース間電圧Nch:20V
・ドレイン電流DCNch:500mA
・ゲートソース間電圧Nch:±10V
・オン抵抗Nch:460mΩ
・許容損失max.:150mW
・動作温度min.:-55℃
・動作温度max.:150℃
・実装タイプ:表面実装
・パッケージ:2-2N1D
・パッケージタイプ:SOT563
表面実装部品(チップ部品)
/
半導体(モジュール)
/
FET
/
NchFET(2SK)
/
MOSFET
・種別:P+N
・内部接続:独立
・ドレインソース間電圧Pch:-20V
・ドレイン電流DCPch:330mA
・ゲートソース間電圧Pch:±8V
・オン抵抗Pch:950mΩ
・ドレインソース間電圧Nch:20V
・ドレイン電流DCNch:500mA
・ゲートソース間電圧Nch:±10V
・オン抵抗Nch:460mΩ
・許容損失max.:150mW
・動作温度min.:-55℃
・動作温度max.:150℃
・実装タイプ:表面実装
・パッケージ:2-2N1D
・パッケージタイプ:SOT563
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