PchMOSFET 2SJ168 60V200mA
・取り扱いが簡単なエンハンスメントタイプ
■主な仕様
・チャネル：P
・ドレインソース間電圧：-60V
・ドレイン電流DC：-200mA
・ピークドレイン電流：-800mA
・ゲートソース間電圧：±20V
・ゲート漏れ電流：±100nA
・オン抵抗：1.3Ω
・許容損失max.：200mW
・実装タイプ：表面実装
・パッケージ：SC-59(2-3F1F/TO-236MOD)
・パッケージタイプ：SOT23
表面実装部品(チップ部品)
/
半導体(モジュール)
/
FET
/
PchFET(2SJ)
/
MOSFET
・チャネル：P
・ドレインソース間電圧：-60V
・ドレイン電流DC：-200mA
・ピークドレイン電流：-800mA
・ゲートソース間電圧：±20V
・ゲート漏れ電流：±100nA
・オン抵抗：1.3Ω
・許容損失max.：200mW
・実装タイプ：表面実装
・パッケージ：SC-59(2-3F1F/TO-236MOD)
・パッケージタイプ：SOT23
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| 商品イベント履歴 | |
|---|---|
| 2024/02/26 | 型番が更新されました。2SJ168(TE85L F)→2SJ168(TE85L,F) |
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○メーカーの包装や箱から一度取り出して別の袋や箱に詰め直して出荷する場合があります。