シリコンNチャネルIGBT(絶縁ゲートバイポーラトランジスタ) GT50JR22

AAA
RoHS2(改正RoHS) (EU)2015/863、10物質、付属品等を除く
販売コード
109805
型番
GT50JR22(STA1_E_S)
発売日
2015/09/29
メーカーカテゴリ
株式会社東芝セミコンダクター社(TOSHIBA)
よくある質問(Q&A)

商品選定・製作の参考にしてください。

1個 [109805]
1個
¥320(税込)
税抜 ¥291
在庫あり
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店舗在庫情報
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店舗 在庫 売り場
秋葉原店 8
1F 10番売場 B段
八潮店 20
店頭 0142 キャビネット
バックヤード保管 801-可動棚
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・第6.5世代品
・RC構造によるFWD(FreewheelingDiode)内蔵
・取り扱いが簡単なエンハンスメントタイプ
■主な仕様
・接合構造:N
・コレクタエミッタ間電圧:600V
・ゲートエミッタ間電圧:±25V
・コレクタ電流:44A
・コレクタエミッタ間飽和電圧:1.55V
・許容損失max.:230W
・動作温度max.:175℃
・実装タイプ:スルーホール
・パッケージ:TO-3P(N)
・パッケージタイプ:TO3P
半導体(モジュール) / IGBT /

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