NchパワーMOSFET 600V30.8A TK31J60W
・スーパージャンクション構造DTMOSの採用によりオン抵抗が低い。・ゲートスイッチングスピードの最適化。
・取り扱いが簡単な、エンハンスメントタイプです。
・取り扱いが簡単な、エンハンスメントタイプです。
■主な仕様
・チャネル：N
・ドレインソース間電圧：600V
・ドレイン電流DC：30.8A
・ピークドレイン電流：123A
・ゲートソース間電圧：±30V
・ゲート漏れ電流：±1μA
・オン抵抗：73mΩ
・許容損失max.：230W
・実装タイプ：スルーホール
・パッケージ：TO-3P
・パッケージタイプ：TO3P
半導体(モジュール)
/
FET
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NchFET(2SK)
/
MOSFET
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Nch MOSFET
・チャネル：N
・ドレインソース間電圧：600V
・ドレイン電流DC：30.8A
・ピークドレイン電流：123A
・ゲートソース間電圧：±30V
・ゲート漏れ電流：±1μA
・オン抵抗：73mΩ
・許容損失max.：230W
・実装タイプ：スルーホール
・パッケージ：TO-3P
・パッケージタイプ：TO3P
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| 商品イベント履歴 | |
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| 2024/04/19 | 1個 価格が変更になりました。¥320→¥800 |
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