トランジスタ 2SB772L-P-T9N-K 30V3A
台湾ユニソニック社の低周波用汎用トランジスタです。こちらはNECの2SB772のセカンドソースになります。パッケージと最大損失、Cob以外はほぼ同等の特性となっております。
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- ・トランジスタ 2SD882L-P-T9N-K 30V3A：113601
■主な仕様
・接合構造：PNP
・コレクタエミッタ間電圧：-30V
・コレクタベース間電圧：-40V
・エミッタベース間電圧：-7V
・コレクタ電流：-3A
・ベース電流：-0.6A
・コレクタエミッタ飽和電圧：-0.3V
・ベースエミッタ飽和電圧：-1V
・許容損失max.：1W
・直流電流増幅率min.：160
・直流電流増幅率max.：320
・トランジション周波数：80MHz
・実装タイプ：スルーホール
・パッケージ：TO-92NL
・パッケージタイプ：TO92L
半導体(モジュール)
/
トランジスタ(BJT)
/
PNPトランジスタ
/
IC(集積回路)
/
・接合構造：PNP
・コレクタエミッタ間電圧：-30V
・コレクタベース間電圧：-40V
・エミッタベース間電圧：-7V
・コレクタ電流：-3A
・ベース電流：-0.6A
・コレクタエミッタ飽和電圧：-0.3V
・ベースエミッタ飽和電圧：-1V
・許容損失max.：1W
・直流電流増幅率min.：160
・直流電流増幅率max.：320
・トランジション周波数：80MHz
・実装タイプ：スルーホール
・パッケージ：TO-92NL
・パッケージタイプ：TO92L
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| 商品イベント履歴 | |
|---|---|
| 2024/03/24 | 商品名が更新されました。トランジスタ 2SB772L-P-T9N-K 40V3A→トランジスタ 2SB772L-P-T9N-K 30V3A |
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○「すべてパックでほしい」「リールでほしい」といった包装の指定はできません。
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○メーカーの包装や箱から一度取り出して別の袋や箱に詰め直して出荷する場合があります。