PchパワーMOSFET 60V8A TJ8S06M3L
東芝のパワーMOSFETです。オン抵抗、漏れ電流が低く、DC-DCコンバーター、スイッチングレギュレーター、モータードライブ用に適しています。
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■一覧
■主な仕様
・チャネル:P
・ドレインソース間電圧:-60V
・ドレイン電流DC:-8A
・ピークドレイン電流:-16A
・ゲートソース間電圧:-20・10V
・ゲート漏れ電流:±10μA
・オン抵抗:80mΩ
・許容損失max.:27W
・実装タイプ:表面実装
・パッケージ:DPAK+(2-7M1A)
・パッケージタイプ:TO252
表面実装部品(チップ部品)
/
半導体(モジュール)
/
FET
/
PchFET(2SJ)
/
MOSFET
・チャネル:P
・ドレインソース間電圧:-60V
・ドレイン電流DC:-8A
・ピークドレイン電流:-16A
・ゲートソース間電圧:-20・10V
・ゲート漏れ電流:±10μA
・オン抵抗:80mΩ
・許容損失max.:27W
・実装タイプ:表面実装
・パッケージ:DPAK+(2-7M1A)
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