PchパワーMOSFET 40V60A TJ60S04M3L
東芝のPchMOSFETです。
■主な仕様
・チャネル：P
・ドレインソース間電圧：-40V
・ドレイン電流DC：-60A
・ピークドレイン電流：-120A
・ゲートソース間電圧：-20・10V
・ゲート漏れ電流：±10μA
・オン抵抗：4.8mΩ
・許容損失max.：90W
・実装タイプ：表面実装
・パッケージ：DPAK+(2-7M1A)
・パッケージタイプ：TO252
表面実装部品(チップ部品)
/
半導体(モジュール)
/
FET
/
PchFET(2SJ)
/
MOSFET
・チャネル：P
・ドレインソース間電圧：-40V
・ドレイン電流DC：-60A
・ピークドレイン電流：-120A
・ゲートソース間電圧：-20・10V
・ゲート漏れ電流：±10μA
・オン抵抗：4.8mΩ
・許容損失max.：90W
・実装タイプ：表面実装
・パッケージ：DPAK+(2-7M1A)
・パッケージタイプ：TO252
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