SOT363-6 SIP化基板
SOT363-6パッケージの半導体をSIP化します。
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- ・デュアルMOSFET(Nch+Nch) 60V115mA 2N7002DW:105999
■主な仕様
・種別:パッケージ変換
・変換元パッケージ:SOT363
・変換元ピッチ:0.65mmピッチ
・変換先パッケージ:SIP6
・変換先ピッチ:2.54mmピッチ
・変換先穴径:0.8mm
・材質:CEM-3
・ランド仕上げ:金メッキ
・長辺:16mm
・短辺:9.5mm
・厚み:1.2mm
パーツ一般
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基板・ブレッドボード
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変換基板
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ICピッチ変換基板・IC-DIP化基板
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ピッチ変換基板・DIP化オペアンプ
・種別:パッケージ変換
・変換元パッケージ:SOT363
・変換元ピッチ:0.65mmピッチ
・変換先パッケージ:SIP6
・変換先ピッチ:2.54mmピッチ
・変換先穴径:0.8mm
・材質:CEM-3
・ランド仕上げ:金メッキ
・長辺:16mm
・短辺:9.5mm
・厚み:1.2mm
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