PNPチップトランジスター 2PB709AR 45V100mA
フィリップス(現NXP)の汎用PNPチップトランジスターです。高耐圧(VCBO:60V/VCEO:50V)でコレクター容量が小さく(<5pF@1MHz)、HF～VHF(<60MHz)帯の信号処理、増幅にも適しています。業界標準のSOT-23(SC-59/TO-236)パッケージですので置き換えも容易です。
■主な仕様
・接合構造：PNP
・コレクターエミッター間電圧：-45V
・コレクターベース間電圧：-45V
・エミッターベース間電圧：-6V
・コレクター電流：-100mA
・ベース電流：-100mA
・コレクターエミッター飽和電圧：-500mV
・許容損失max.：250mW
・直流電流増幅率min.：210
・直流電流増幅率max.：340
・トランジション周波数：70MHz
・動作温度min.：-65℃
・動作温度max.：150℃
・実装タイプ：表面実装
・パッケージ：SC-59(SOT-346/2-3F1A/TO-236MOD)
・パッケージタイプ：SOT23
表面実装部品(チップ部品)
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半導体(モジュール)
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トランジスター(BJT)
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PNPトランジスター
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チップトランジスター
・接合構造：PNP
・コレクターエミッター間電圧：-45V
・コレクターベース間電圧：-45V
・エミッターベース間電圧：-6V
・コレクター電流：-100mA
・ベース電流：-100mA
・コレクターエミッター飽和電圧：-500mV
・許容損失max.：250mW
・直流電流増幅率min.：210
・直流電流増幅率max.：340
・トランジション周波数：70MHz
・動作温度min.：-65℃
・動作温度max.：150℃
・実装タイプ：表面実装
・パッケージ：SC-59(SOT-346/2-3F1A/TO-236MOD)
・パッケージタイプ：SOT23
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| 商品イベント履歴 | |
|---|---|
| 2024/05/16 | 2PB709AR.pdfが追加されました。 |
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