NchパワーMOSFET 100V8.1A IRLI520NPBF
第5世代HEXFET®シリーズのNchパワーMOSFETです。極めて低いオン抵抗に加え、高速スイッチング対応で幅広い用途に適しています。フルモールドパッケージですので、マイカ板やシリコンラバーフィルム等の絶縁シートが不要です。特長
・第5世代HEXFET®
・極めて低いオン抵抗
・ロジックレベルゲート駆動
・フルモールドで絶縁シート不要
・アバランシェ耐量保証
・第5世代HEXFET®
・極めて低いオン抵抗
・ロジックレベルゲート駆動
・フルモールドで絶縁シート不要
・アバランシェ耐量保証
■主な仕様
・チャネル：N
・ドレインソース間電圧：100V
・ドレイン電流DC：8.1A
・ピークドレイン電流：35A
・ゲートソース間電圧：±16V
・ゲート漏れ電流：±100nA
・オン抵抗：180mΩ
・許容損失max.：30W
・動作温度min.：-55℃
・動作温度max.：175℃
・実装タイプ：スルーホール
・パッケージ：TO-220FULLPAK
・パッケージタイプ：TO220
半導体(モジュール)
/
FET
/
NchFET(2SK)
/
MOSFET
/
Nch MOSFET
・チャネル：N
・ドレインソース間電圧：100V
・ドレイン電流DC：8.1A
・ピークドレイン電流：35A
・ゲートソース間電圧：±16V
・ゲート漏れ電流：±100nA
・オン抵抗：180mΩ
・許容損失max.：30W
・動作温度min.：-55℃
・動作温度max.：175℃
・実装タイプ：スルーホール
・パッケージ：TO-220FULLPAK
・パッケージタイプ：TO220
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