トランジスター 32V2A 2SB1188T100Q
中電力増幅用(32V、2A)
■特長
・VCE(sat)が低い。
・2SD1766/2SD1758/2SD1862とコンプリである。
■特長
・VCE(sat)が低い。
・2SD1766/2SD1758/2SD1862とコンプリである。
■主な仕様
・接合構造：PNP
・コレクターエミッター間電圧：-32V
・コレクターベース間電圧：-40V
・エミッターベース間電圧：-5V
・コレクター電流：-2A
・コレクターエミッター飽和電圧：-0.5V
・許容損失max.：2W
・直流電流増幅率min.：120
・直流電流増幅率max.：270
・トランジション周波数：100MHz
・実装タイプ：表面実装
・パッケージ：SC-62
・パッケージタイプ：SOT89
表面実装部品(チップ部品)
/
半導体(モジュール)
/
トランジスター(BJT)
/
チップトランジスター
・接合構造：PNP
・コレクターエミッター間電圧：-32V
・コレクターベース間電圧：-40V
・エミッターベース間電圧：-5V
・コレクター電流：-2A
・コレクターエミッター飽和電圧：-0.5V
・許容損失max.：2W
・直流電流増幅率min.：120
・直流電流増幅率max.：270
・トランジション周波数：100MHz
・実装タイプ：表面実装
・パッケージ：SC-62
・パッケージタイプ：SOT89
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| 2024/04/10 | 商品画像が追加されました。 |
| 2024/04/10 | 商品画像が更新されました。 |
| 2024/04/10 | 商品画像が追加されました。 |
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