デュアルMOSFET(Nch+Nch) 20V2.7A FDC6305N
ON Semiconductor(旧Fairchild)の2素子入りパワーMOSFETです。トレンチ構造により低オン抵抗、スレッショルド電圧2.5Vを実現しています。各素子はそれぞれ独立しています。
■主な仕様
・種別：N+N
・内部接続：独立
・ドレインソース間電圧Nch：20V
・ドレイン電流DCNch：2.7A
・ゲートソース間電圧Nch：±8V
・オン抵抗Nch：60mΩ
・ドレインソース間電圧Nch：20V
・ドレイン電流DCNch：2.7A
・ゲートソース間電圧Nch：±8V
・オン抵抗Nch：60mΩ
・許容損失max.：960mW
・動作温度min.：-55℃
・動作温度max.：150℃
・実装タイプ：表面実装
・パッケージ：SuperSOT-6(SOT-23-6)
・パッケージタイプ：SOT23-6
表面実装部品(チップ部品)
/
半導体(モジュール)
/
FET
/
MOSFET
/
チップFET
・種別：N+N
・内部接続：独立
・ドレインソース間電圧Nch：20V
・ドレイン電流DCNch：2.7A
・ゲートソース間電圧Nch：±8V
・オン抵抗Nch：60mΩ
・ドレインソース間電圧Nch：20V
・ドレイン電流DCNch：2.7A
・ゲートソース間電圧Nch：±8V
・オン抵抗Nch：60mΩ
・許容損失max.：960mW
・動作温度min.：-55℃
・動作温度max.：150℃
・実装タイプ：表面実装
・パッケージ：SuperSOT-6(SOT-23-6)
・パッケージタイプ：SOT23-6
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