NchパワーMOSFET 100V96A IRFB4410PBF
■主な仕様
・チャネル：N
・ドレインソース間電圧：100V
・ドレイン電流DC：96A
・ピークドレイン電流：380A
・ゲートソース間電圧：±20V
・ゲート漏れ電流：±200nA
・オン抵抗：8mΩ
・許容損失max.：250W
・動作温度min.：-55℃
・動作温度max.：175℃
・実装タイプ：スルーホール
・パッケージ：TO-220AB
・パッケージタイプ：TO220
半導体(モジュール)
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FET
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MOSFET
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パワーMOSFET
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・チャネル：N
・ドレインソース間電圧：100V
・ドレイン電流DC：96A
・ピークドレイン電流：380A
・ゲートソース間電圧：±20V
・ゲート漏れ電流：±200nA
・オン抵抗：8mΩ
・許容損失max.：250W
・動作温度min.：-55℃
・動作温度max.：175℃
・実装タイプ：スルーホール
・パッケージ：TO-220AB
・パッケージタイプ：TO220
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