MOSFET 75V80A IRFSL3607PBF
HEXFET®シリーズのNchパワーMOSFETです。
極めて低いオン抵抗に加え、高速スイッチング対応で幅広い用途に適しています。
特長
・HEXFET®
・極めて低いオン抵抗
・アバランシェ耐量保証
・鉛フリー
極めて低いオン抵抗に加え、高速スイッチング対応で幅広い用途に適しています。
特長
・HEXFET®
・極めて低いオン抵抗
・アバランシェ耐量保証
・鉛フリー
■主な仕様
・チャネル：N
・ドレインソース間電圧：75V
・ドレイン電流DC：80A
・ピークドレイン電流：310A
・ゲートソース間電圧：±20V
・ゲート漏れ電流：±100nA
・オン抵抗：7.34mΩ
・許容損失max.：140W
・動作温度min.：-55℃
・動作温度max.：175℃
・実装タイプ：スルーホール
・パッケージ：TO-262
・パッケージタイプ：TO262
半導体(モジュール)
/
FET
/
NchFET(2SK)
/
MOSFET
/
Nch MOSFET
・チャネル：N
・ドレインソース間電圧：75V
・ドレイン電流DC：80A
・ピークドレイン電流：310A
・ゲートソース間電圧：±20V
・ゲート漏れ電流：±100nA
・オン抵抗：7.34mΩ
・許容損失max.：140W
・動作温度min.：-55℃
・動作温度max.：175℃
・実装タイプ：スルーホール
・パッケージ：TO-262
・パッケージタイプ：TO262
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