トランジスター 2SB1203 50V5A
特長
・コレクタ・エミッタ飽和電圧が低い
・大電流であり、かつfTが高い
・hFEのリニアリティが良い
・スイッチングタイムが速い
・小型薄型であるためセットの小型化が容易である。
・2SD1803とコンプリメンタリ
・コレクタ・エミッタ飽和電圧が低い
・大電流であり、かつfTが高い
・hFEのリニアリティが良い
・スイッチングタイムが速い
・小型薄型であるためセットの小型化が容易である。
・2SD1803とコンプリメンタリ
■主な仕様
・接合構造:PNP
・コレクターエミッター間電圧:-50V
・コレクターベース間電圧:-60V
・エミッターベース間電圧:-6V
・コレクター電流:-5A
・コレクターエミッター飽和電圧:-280mV
・ベースエミッター飽和電圧:-0.95V
・許容損失max.:20W
・直流電流増幅率min.:140
・直流電流増幅率max.:280
・トランジション周波数:130MHz
・実装タイプ:表面実装
・パッケージ:SC-63(TO-252)
・パッケージタイプ:TO252
表面実装部品(チップ部品)
/
半導体(モジュール)
/
トランジスター(BJT)
/
PNPトランジスター
/
チップトランジスター
・接合構造:PNP
・コレクターエミッター間電圧:-50V
・コレクターベース間電圧:-60V
・エミッターベース間電圧:-6V
・コレクター電流:-5A
・コレクターエミッター飽和電圧:-280mV
・ベースエミッター飽和電圧:-0.95V
・許容損失max.:20W
・直流電流増幅率min.:140
・直流電流増幅率max.:280
・トランジション周波数:130MHz
・実装タイプ:表面実装
・パッケージ:SC-63(TO-252)
・パッケージタイプ:TO252
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