トランジスタ 2SB1203 50V5A
特長
・コレクタ・エミッタ飽和電圧が低い
・大電流であり、かつfTが高い
・hFEのリニアリティが良い
・スイッチングタイムが速い
・小型薄型であるためセットの小型化が容易である。
・2SD1803とコンプリメンタリ
・コレクタ・エミッタ飽和電圧が低い
・大電流であり、かつfTが高い
・hFEのリニアリティが良い
・スイッチングタイムが速い
・小型薄型であるためセットの小型化が容易である。
・2SD1803とコンプリメンタリ
■主な仕様
・接合構造：PNP
・コレクタエミッタ間電圧：-50V
・コレクタベース間電圧：-60V
・エミッタベース間電圧：-6V
・コレクタ電流：-5A
・コレクタエミッタ飽和電圧：-280mV
・ベースエミッタ飽和電圧：-0.95V
・許容損失max.：20W
・直流電流増幅率min.：140
・直流電流増幅率max.：280
・トランジション周波数：130MHz
・実装タイプ：表面実装
・パッケージ：SC-63(TO-252)
・パッケージタイプ：TO252
表面実装部品(チップ部品)
/
半導体(モジュール)
/
トランジスタ(BJT)
/
PNPトランジスタ
/
チップトランジスタ
・接合構造：PNP
・コレクタエミッタ間電圧：-50V
・コレクタベース間電圧：-60V
・エミッタベース間電圧：-6V
・コレクタ電流：-5A
・コレクタエミッタ飽和電圧：-280mV
・ベースエミッタ飽和電圧：-0.95V
・許容損失max.：20W
・直流電流増幅率min.：140
・直流電流増幅率max.：280
・トランジション周波数：130MHz
・実装タイプ：表面実装
・パッケージ：SC-63(TO-252)
・パッケージタイプ：TO252
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