シリコンNチャネルIGBT(絶縁ゲートバイポーラートランジスター) RJH60F6DPK
高速スイッチングに適したIGBTです。高速リカバリダイオードを内蔵。トレンチゲート、薄型ウェハを採用。
■主な仕様
・コレクターエミッター間電圧：600V
・ゲートエミッター間電圧：±30V
・コレクター電流：45A
・コレクターエミッター間飽和電圧：1.35V
・許容損失max.：297.6W
・動作温度max.：150℃
・実装タイプ：スルーホール
・パッケージ：TO-3P
・パッケージタイプ：TO3P
半導体(モジュール)
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IGBT
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・コレクターエミッター間電圧：600V
・ゲートエミッター間電圧：±30V
・コレクター電流：45A
・コレクターエミッター間飽和電圧：1.35V
・許容損失max.：297.6W
・動作温度max.：150℃
・実装タイプ：スルーホール
・パッケージ：TO-3P
・パッケージタイプ：TO3P
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