NchパワーMOSFET 60V100A TK100A06N1
東芝のTO-220フルモールドパッケージ、NchパワーMOSFETです。省エネを実現する低耐圧トレンチ構造のU-MOS Ⅷ-Hプロセスにより卓越した低オン抵抗(2.2mΩ@VGS=10V)、低ゲート入力電荷量(Qg:140nC@VGS=10V)を実現しています。スイッチングレギュレータ、DCDCコンバータ等に最適です。漏れ電流も少なくなっています(IDSS:10μA@VDS=60V)。大電流が流せて使いやすいです。
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■一覧
■主な仕様
・チャネル：N
・ドレインソース間電圧：60V
・ドレイン電流DC：100A
・ピークドレイン電流：584A
・ゲートソース間電圧：±20V
・ゲート漏れ電流：±0.1μA
・オン抵抗：2.2mΩ
・許容損失max.：45W
・実装タイプ：スルーホール
・パッケージ：TO-220SIS(SC-67/2-10R1B)
・パッケージタイプ：TO220
半導体(モジュール)
/
FET
/
NchFET(2SK)
/
MOSFET
/
Nch MOSFET
・チャネル：N
・ドレインソース間電圧：60V
・ドレイン電流DC：100A
・ピークドレイン電流：584A
・ゲートソース間電圧：±20V
・ゲート漏れ電流：±0.1μA
・オン抵抗：2.2mΩ
・許容損失max.：45W
・実装タイプ：スルーホール
・パッケージ：TO-220SIS(SC-67/2-10R1B)
・パッケージタイプ：TO220
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| 商品イベント履歴 | |
|---|---|
| 2024/04/05 | 商品画像が追加されました。 |
| 2024/04/05 | 商品画像が追加されました。 |
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