NchパワーMOSFET 100V100A TK100E10N1
東芝のNchMOSFETです。オン抵抗が低い(2.8mΩ)、漏れ電流が低い、エンハンスメントタイプといった特徴があります。スイッチング用途に適しています。大人気で品切れ中のTK100A06(2021年8月頃に再入荷予定)の代品としておすすめします。
■主な仕様
・チャネル：N
・ドレインソース間電圧：100V
・ドレイン電流DC：100A
・ピークドレイン電流：434A
・ゲートソース間電圧：±20V
・ゲート漏れ電流：±0.1μA
・オン抵抗：2.8mΩ
・許容損失max.：255W
・実装タイプ：スルーホール
・パッケージ：TO-220
・パッケージタイプ：TO220
半導体(モジュール)
/
FET
/
NchFET(2SK)
/
MOSFET
/
Nch MOSFET
・チャネル：N
・ドレインソース間電圧：100V
・ドレイン電流DC：100A
・ピークドレイン電流：434A
・ゲートソース間電圧：±20V
・ゲート漏れ電流：±0.1μA
・オン抵抗：2.8mΩ
・許容損失max.：255W
・実装タイプ：スルーホール
・パッケージ：TO-220
・パッケージタイプ：TO220
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