MOSFET SSM6L35FE
1つのパッケージにNchとPchのMOSFETが入っています。※現品表示：LL3
○高速スイッチング用
○アナログスイッチ用
○高速スイッチング用
○アナログスイッチ用
■主な仕様
・種別：P+N
・内部接続：独立
・ドレインソース間電圧Pch：-20V
・ドレイン電流DCPch：100mA
・ゲートソース間電圧Pch：±10V
・オン抵抗Pch：4.3Ω
・ドレインソース間電圧Nch：20V
・ドレイン電流DCNch：180mA
・ゲートソース間電圧Nch：±10V
・オン抵抗Nch：1.5Ω
・許容損失max.：150mW
・動作温度min.：-55℃
・動作温度max.：150℃
・実装タイプ：表面実装
・パッケージ：2-2N1D
・パッケージタイプ：SOT563
表面実装部品(チップ部品)
/
半導体(モジュール)
/
FET
/
NchFET(2SK)
/
MOSFET
・種別：P+N
・内部接続：独立
・ドレインソース間電圧Pch：-20V
・ドレイン電流DCPch：100mA
・ゲートソース間電圧Pch：±10V
・オン抵抗Pch：4.3Ω
・ドレインソース間電圧Nch：20V
・ドレイン電流DCNch：180mA
・ゲートソース間電圧Nch：±10V
・オン抵抗Nch：1.5Ω
・許容損失max.：150mW
・動作温度min.：-55℃
・動作温度max.：150℃
・実装タイプ：表面実装
・パッケージ：2-2N1D
・パッケージタイプ：SOT563
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