PchMOSFET 2SJ168 60V200mA
・取り扱いが簡単なエンハンスメントタイプ
■主な仕様
・チャネル:P
・ドレインソース間電圧:-60V
・ドレイン電流DC:-200mA
・ピークドレイン電流:-800mA
・ゲートソース間電圧:±20V
・ゲート漏れ電流:±100nA
・オン抵抗:1.3Ω
・許容損失max.:200mW
・実装タイプ:表面実装
・パッケージ:SC-59(2-3F1F/TO-236MOD)
・パッケージタイプ:SOT23
表面実装部品(チップ部品)
/
半導体(モジュール)
/
FET
/
PchFET(2SJ)
/
MOSFET
・チャネル:P
・ドレインソース間電圧:-60V
・ドレイン電流DC:-200mA
・ピークドレイン電流:-800mA
・ゲートソース間電圧:±20V
・ゲート漏れ電流:±100nA
・オン抵抗:1.3Ω
・許容損失max.:200mW
・実装タイプ:表面実装
・パッケージ:SC-59(2-3F1F/TO-236MOD)
・パッケージタイプ:SOT23
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商品イベント履歴 | |
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2024/02/26 | 型番が更新されました。2SJ168(TE85L F)→2SJ168(TE85L,F) |
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