PchパワーMOSFET 60V60A 2SJ555-E
■主な仕様
・チャネル：P
・ドレインソース間電圧：-60V
・ドレイン電流DC：-60A
・ピークドレイン電流：-240A
・ゲートソース間電圧：±20V
・ゲート漏れ電流：±10μA
・オン抵抗：17mΩ
・許容損失max.：125W
・実装タイプ：スルーホール
・パッケージ：TO-3P
・パッケージタイプ：TO3P
半導体(モジュール)
/
FET
/
PchFET(2SJ)
/
MOSFET
/
Pch MOSFET
・チャネル：P
・ドレインソース間電圧：-60V
・ドレイン電流DC：-60A
・ピークドレイン電流：-240A
・ゲートソース間電圧：±20V
・ゲート漏れ電流：±10μA
・オン抵抗：17mΩ
・許容損失max.：125W
・実装タイプ：スルーホール
・パッケージ：TO-3P
・パッケージタイプ：TO3P
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