シリコンNチャネルIGBT(絶縁ゲートバイポーラートランジスター) IRGIB10B60KD1P
■主な仕様
・接合構造：N
・コレクターエミッター間電圧：600V
・ゲートエミッター間電圧：±20V
・コレクター電流：10A
・コレクターエミッター間飽和電圧：1.7V
・許容損失max.：45W
・動作温度min.：-55℃
・動作温度max.：150℃
・実装タイプ：スルーホール
・パッケージ：TO-220FULLPAK
・パッケージタイプ：TO220F
半導体(モジュール)
/
IGBT
/
・接合構造：N
・コレクターエミッター間電圧：600V
・ゲートエミッター間電圧：±20V
・コレクター電流：10A
・コレクターエミッター間飽和電圧：1.7V
・許容損失max.：45W
・動作温度min.：-55℃
・動作温度max.：150℃
・実装タイプ：スルーホール
・パッケージ：TO-220FULLPAK
・パッケージタイプ：TO220F
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