NchパワーMOSFET 600V30.8A TK31J60W
・スーパージャンクション構造DTMOSの採用によりオン抵抗が低い。・ゲートスイッチングスピードの最適化。
・取り扱いが簡単な、エンハンスメントタイプです。
・取り扱いが簡単な、エンハンスメントタイプです。
■主な仕様
・チャネル：N
・ドレインソース間電圧：600V
・ドレイン電流DC：30.8A
・ピークドレイン電流：123A
・ゲートソース間電圧：±30V
・ゲート漏れ電流：±1μA
・オン抵抗：73mΩ
・許容損失max.：230W
・実装タイプ：スルーホール
・パッケージ：TO3P(2-16C1S)
・端子数：3
・端子ピッチ：5.45mmピッチ
・パッケージタイプ：TO
半導体(モジュール)
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FET
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NchFET(2SK)
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MOSFET
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Nch MOSFET
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パワーMOSFET
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高耐圧MOSFET
・チャネル：N
・ドレインソース間電圧：600V
・ドレイン電流DC：30.8A
・ピークドレイン電流：123A
・ゲートソース間電圧：±30V
・ゲート漏れ電流：±1μA
・オン抵抗：73mΩ
・許容損失max.：230W
・実装タイプ：スルーホール
・パッケージ：TO3P(2-16C1S)
・端子数：3
・端子ピッチ：5.45mmピッチ
・パッケージタイプ：TO
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