ゲートドライバー LT1160CN
LT®1160CNは経済的な半波/全波ブリッジNチャンネル・パワーMOSFETドライバ(ゲートドライバ)です。フローティング・ドライバは、トップ・サイドNチャンネル・パワーMOSFETを、最大60V(絶対最大値)の高電圧(HV)レールまでドライブすることができます。シュートスルー電流に対する適応型保護機能によって、2つのMOSFETに対するすべての整合要求が不要になります。低電源電圧または低起動時電圧条件では、低電圧ロックアウトがドライバ出力をアクティブに"L"にプルダウンし、パワーMOSFETが不完全導通するのを防止します。0.5Vのヒステリシスをもたせてあるため、電源が緩やかに変化しても、高信頼性動作が可能です。
■主な仕様
・種別：ハーフブリッジ
・電源電圧min.：10V
・電源電圧max.：15V
・ハイサイド電圧：60V
・入力しきい値電圧H：2V
・入力しきい値電圧L：0.8V
・実装タイプ：スルーホール
・パッケージ：DIP14
・パッケージタイプ：DIP14
半導体(モジュール)
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ゲートドライバー
・種別：ハーフブリッジ
・電源電圧min.：10V
・電源電圧max.：15V
・ハイサイド電圧：60V
・入力しきい値電圧H：2V
・入力しきい値電圧L：0.8V
・実装タイプ：スルーホール
・パッケージ：DIP14
・パッケージタイプ：DIP14
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