トランジスタ 2SB772L-P-T9N-K 30V3A
台湾ユニソニック社の低周波用汎用トランジスタです。こちらはNECの2SB772のセカンドソースになります。パッケージと最大損失、Cob以外はほぼ同等の特性となっております。
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- ・トランジスタ 2SD882L-P-T9N-K 30V3A：113601
■主な仕様
・接合構造：PNP
・コレクターエミッター間電圧：-30V
・コレクターベース間電圧：-40V
・エミッターベース間電圧：-7V
・コレクター電流：-3A
・ベース電流：-0.6A
・コレクターエミッター飽和電圧：-0.3V
・ベースエミッター飽和電圧：-1V
・許容損失max.：1W
・直流電流増幅率min.：160
・直流電流増幅率max.：320
・トランジション周波数：80MHz
・実装タイプ：スルーホール
・パッケージ：TO-92NL
・パッケージタイプ：TO92L
半導体(モジュール)
/
トランジスター(BJT)
/
PNPトランジスター
/
IC(集積回路)
/
・接合構造：PNP
・コレクターエミッター間電圧：-30V
・コレクターベース間電圧：-40V
・エミッターベース間電圧：-7V
・コレクター電流：-3A
・ベース電流：-0.6A
・コレクターエミッター飽和電圧：-0.3V
・ベースエミッター飽和電圧：-1V
・許容損失max.：1W
・直流電流増幅率min.：160
・直流電流増幅率max.：320
・トランジション周波数：80MHz
・実装タイプ：スルーホール
・パッケージ：TO-92NL
・パッケージタイプ：TO92L
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| 商品イベント履歴 | |
|---|---|
| 2024/03/24 | 商品名が更新されました。トランジスタ 2SB772L-P-T9N-K 40V3A→トランジスタ 2SB772L-P-T9N-K 30V3A |
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○「すべてパックでほしい」「リールでほしい」といった包装の指定はできません。
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○メーカーの包装や箱から一度取り出して別の袋や箱に詰め直して出荷する場合があります。