NchパワーMOSFET 60V8A TK8S06K3L
東芝のパワーMOSFETです。オン抵抗、漏れ電流が低く、DC-DCコンバーター、スイッチングレギュレーター、モータードライブ用に適しています。
■主な仕様
・チャネル：N
・ドレインソース間電圧：60V
・ドレイン電流DC：8A
・ピークドレイン電流：16A
・ゲートソース間電圧：±20V
・ゲート漏れ電流：±10μA
・オン抵抗：43mΩ
・許容損失max.：25W
・実装タイプ：表面実装
・パッケージ：DPAK+(2-7M1A)
・パッケージタイプ：TO252
半導体(モジュール)
/
FET
/
NchFET(2SK)
/
MOSFET
/
Nch MOSFET
・チャネル：N
・ドレインソース間電圧：60V
・ドレイン電流DC：8A
・ピークドレイン電流：16A
・ゲートソース間電圧：±20V
・ゲート漏れ電流：±10μA
・オン抵抗：43mΩ
・許容損失max.：25W
・実装タイプ：表面実装
・パッケージ：DPAK+(2-7M1A)
・パッケージタイプ：TO252
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