PchパワーMOSFET 60V8A TJ8S06M3L
東芝のパワーMOSFETです。オン抵抗、漏れ電流が低く、DC-DCコンバーター、スイッチングレギュレーター、モータードライブ用に適しています。
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■一覧
■主な仕様
・チャネル：P
・ドレインソース間電圧：-60V
・ドレイン電流DC：-8A
・ピークドレイン電流：-16A
・ゲートソース間電圧：-20・10V
・ゲート漏れ電流：±10μA
・オン抵抗：80mΩ
・許容損失max.：27W
・実装タイプ：表面実装
・パッケージ：DPAK+(2-7M1A)
・パッケージタイプ：TO252
表面実装部品(チップ部品)
/
半導体(モジュール)
/
FET
/
PchFET(2SJ)
/
MOSFET
・チャネル：P
・ドレインソース間電圧：-60V
・ドレイン電流DC：-8A
・ピークドレイン電流：-16A
・ゲートソース間電圧：-20・10V
・ゲート漏れ電流：±10μA
・オン抵抗：80mΩ
・許容損失max.：27W
・実装タイプ：表面実装
・パッケージ：DPAK+(2-7M1A)
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