Nch MOSFET INK021ABS1-T112
イサハヤ電子のNch MOSFETです。低電圧駆動、低ON抵抗ですので電池駆動回路、ポータブル機器の高速スイッチング、アナログスイッチの用途に適しています。
■主な仕様
・チャネル：N
・ドレインソース間電圧：100V
・ドレイン電流DC：1.4A
・ピークドレイン電流：8A
・ゲートソース間電圧：±20V
・ゲート漏れ電流：±10μA
・オン抵抗：200mΩ
・許容損失max.：600mW
・実装タイプ：スルーホール
・パッケージ：TO92S
・パッケージタイプ：TO92S
半導体(モジュール)
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FET
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NchFET(2SK)
/
MOSFET
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Nch MOSFET
・チャネル：N
・ドレインソース間電圧：100V
・ドレイン電流DC：1.4A
・ピークドレイン電流：8A
・ゲートソース間電圧：±20V
・ゲート漏れ電流：±10μA
・オン抵抗：200mΩ
・許容損失max.：600mW
・実装タイプ：スルーホール
・パッケージ：TO92S
・パッケージタイプ：TO92S
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