NchMOSFET SSM6K819R
東芝の面実装型のNチャネルMOSFETです。低オン抵抗、4.5V駆動、小型パッケージで高許容損失を特徴とします。こちらはお客様からご要望を頂き販売を開始いたしました。各種部品、半導体、機構部品等のご要望をお待ちしております。商品リクエスト入力フォーム
■主な仕様
・チャネル：N
・ドレインソース間電圧：100V
・ドレイン電流DC：10A
・ピークドレイン電流：40A
・ゲートソース間電圧：±20V
・ゲート漏れ電流：±10μA
・オン抵抗：20.9mΩ
・許容損失max.：3W
・実装タイプ：表面実装
・パッケージ：TSOP6F
・パッケージタイプ：TSOP6F
表面実装部品(チップ部品)
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半導体(モジュール)
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FET
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NchFET(2SK)
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MOSFET
・チャネル：N
・ドレインソース間電圧：100V
・ドレイン電流DC：10A
・ピークドレイン電流：40A
・ゲートソース間電圧：±20V
・ゲート漏れ電流：±10μA
・オン抵抗：20.9mΩ
・許容損失max.：3W
・実装タイプ：表面実装
・パッケージ：TSOP6F
・パッケージタイプ：TSOP6F
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