NchパワーMOSFET 60V25A TK25S06N1L
東芝の60V25A、スイッチング用パワーMOSFETです。オン抵抗が低い、漏れ電流が低いといった特徴があります。
■一覧
■主な仕様
・チャネル：N
・ドレインソース間電圧：60V
・ドレイン電流DC：25A
・ピークドレイン電流：75A
・ゲートソース間電圧：±20V
・ゲート漏れ電流：±10μA
・オン抵抗：15mΩ
・許容損失max.：57W
・実装タイプ：表面実装
・パッケージ：DPAK+(2-7M1A)
・パッケージタイプ：TO252
表面実装部品(チップ部品)
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半導体(モジュール)
/
FET
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NchFET(2SK)
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MOSFET
・チャネル：N
・ドレインソース間電圧：60V
・ドレイン電流DC：25A
・ピークドレイン電流：75A
・ゲートソース間電圧：±20V
・ゲート漏れ電流：±10μA
・オン抵抗：15mΩ
・許容損失max.：57W
・実装タイプ：表面実装
・パッケージ：DPAK+(2-7M1A)
・パッケージタイプ：TO252
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