NchパワーMOSFET 600V4A MTN4N60CJ3
CystechのNch MOSFETです。高耐圧(600V)、大電流(4A)、低Qg(14.1nC)を特徴とします。業界標準のTO-252(DPAK)パッケージで放熱に優れています。こちらはお客様からご要望がございました。各種部品、半導体、機構部品等のご要望をお待ちしております。商品リクエスト入力フォーム
■主な仕様
・チャネル：N
・ドレインソース間電圧：600V
・ドレイン電流DC：4A
・ピークドレイン電流：16A
・ゲートソース間電圧：±30V
・ゲート漏れ電流：±100nA
・オン抵抗：1.8Ω
・許容損失max.：50W
・動作温度min.：-55℃
・動作温度max.：150℃
・実装タイプ：表面実装
・パッケージ：TO-252(DPAK)
・パッケージタイプ：TO252
表面実装部品(チップ部品)
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半導体(モジュール)
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FET
/
NchFET(2SK)
/
MOSFET
・チャネル：N
・ドレインソース間電圧：600V
・ドレイン電流DC：4A
・ピークドレイン電流：16A
・ゲートソース間電圧：±30V
・ゲート漏れ電流：±100nA
・オン抵抗：1.8Ω
・許容損失max.：50W
・動作温度min.：-55℃
・動作温度max.：150℃
・実装タイプ：表面実装
・パッケージ：TO-252(DPAK)
・パッケージタイプ：TO252
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