NchパワーMOSFET 100V10A MTA100N10KRI3
CYStechのNch MOSFETです。高耐圧(100V)、低ゲート容量、低オン抵抗を特徴とします。
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- ・NchパワーMOSFET 100V10A MTA100N10KRI3：115847
■一覧
■主な仕様
・チャネル：N
・ドレインソース間電圧：100V
・ドレイン電流DC：10A
・ピークドレイン電流：20A
・ゲートソース間電圧：±20V
・ゲート漏れ電流：±10μA
・オン抵抗：96mΩ
・許容損失max.：30W
・動作温度min.：-55℃
・動作温度max.：150℃
・実装タイプ：スルーホール
・パッケージ：TO-251
・パッケージタイプ：TO251
半導体(モジュール)
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FET
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MOSFET
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Nch MOSFET
・チャネル：N
・ドレインソース間電圧：100V
・ドレイン電流DC：10A
・ピークドレイン電流：20A
・ゲートソース間電圧：±20V
・ゲート漏れ電流：±10μA
・オン抵抗：96mΩ
・許容損失max.：30W
・動作温度min.：-55℃
・動作温度max.：150℃
・実装タイプ：スルーホール
・パッケージ：TO-251
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