NchSiCFET UJ4C075060K4S
UnitedSiCのSiC(シリコンカーバイド)FETです。珪素(Si)と炭素(C)で構成される新しい素材です。電力用半導体の新しい素材として期待されています。
■主な仕様
・チャネル：N
・ドレインソース間電圧：750V
・ドレイン電流DC：28A
・ピークドレイン電流：62A
・ゲートソース間電圧：±20V
・ゲート漏れ電流：4.7μA
・オン抵抗：58mΩ
・許容損失max.：155W
・動作温度min.：55℃
・動作温度max.：175℃
・実装タイプ：スルーホール
・パッケージ：TO247-4L
・パッケージタイプ：TO3P
半導体(モジュール)
/
FET
/
NchFET(2SK)
/
MOSFET
/
Nch MOSFET
・チャネル：N
・ドレインソース間電圧：750V
・ドレイン電流DC：28A
・ピークドレイン電流：62A
・ゲートソース間電圧：±20V
・ゲート漏れ電流：4.7μA
・オン抵抗：58mΩ
・許容損失max.：155W
・動作温度min.：55℃
・動作温度max.：175℃
・実装タイプ：スルーホール
・パッケージ：TO247-4L
・パッケージタイプ：TO3P
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