デュアルトランジスター(NPN+PNP) HN1B01F-GR
低周波増幅用トランジスタ2in1シリーズ。0.95mmピッチのSC-74(SOT-26/2-3N1A)パッケージの2素子入(NPN+PNP)トランジスタです。hFEのリニアリティが優れている為、アナログの小信号処理、低周波増幅に適しています。hFEが大きく(120～400)、コレクタ容量は小さい(NPN:2pF/PNP:4pF)です。fTは150MHz(NPN)、120MHz(PNP)に達しており、HF帯～VHF帯(<120MHz(PNP)/<150MHz(NPN))信号処理にも適しています。業界標準のパッケージですので取り扱いも容易です。
■一覧
■主な仕様
・接合構造：NPN・PNP
・コレクターエミッター間電圧1：50V
・コレクターエミッター間電圧2：-50V
・コレクターベース間電圧1：60V
・コレクターベース間電圧2：-50V
・エミッターベース間電圧1：5V
・エミッターベース間電圧2：-5V
・コレクター電流1：150mA
・コレクター電流2：-150mA
・ベース電流1：30mA
・ベース電流2：-30mA
・コレクターエミッター飽和電圧：0.1V
・許容損失max.：300mW
・直流電流増幅率min.：200
・直流電流増幅率max.：400
・トランジション周波数：150MHz
・実装タイプ：表面実装
・パッケージタイプ：SOT23-6
・パッケージタイプ：SOT23-6
半導体(モジュール)
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トランジスター(BJT)
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高周波トランジスター(RFTR・FET)
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デュアルトランジスター
・接合構造：NPN・PNP
・コレクターエミッター間電圧1：50V
・コレクターエミッター間電圧2：-50V
・コレクターベース間電圧1：60V
・コレクターベース間電圧2：-50V
・エミッターベース間電圧1：5V
・エミッターベース間電圧2：-5V
・コレクター電流1：150mA
・コレクター電流2：-150mA
・ベース電流1：30mA
・ベース電流2：-30mA
・コレクターエミッター飽和電圧：0.1V
・許容損失max.：300mW
・直流電流増幅率min.：200
・直流電流増幅率max.：400
・トランジション周波数：150MHz
・実装タイプ：表面実装
・パッケージタイプ：SOT23-6
・パッケージタイプ：SOT23-6
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| 商品イベント履歴 | |
|---|---|
| 2024/02/26 | 型番が更新されました。HN1B01F-GR(TE85LF→HN1B01F-GR(TE85L,F |
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