NchパワーMOSFET 40V250A TKR74F04PB
東芝の40V耐圧パワーMOSFETです。低耐圧トレンチ構造のU-MOS IX-Hプロセスにより卓越した低オン抵抗(0.6mΩ)を特徴とします。また出力電荷量を低減することで出力損失を改善します。
■主な仕様
・チャネル：N
・ドレインソース間電圧：40V
・ドレイン電流DC：250A
・ピークドレイン電流：750A
・ゲートソース間電圧：±20V
・ゲート漏れ電流：±1μA
・オン抵抗：0.6mΩ
・許容損失max.：375W
・実装タイプ：表面実装
・パッケージ：TO-220SM(W)
・パッケージタイプ：TO220
表面実装部品(チップ部品)
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半導体(モジュール)
/
FET
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NchFET(2SK)
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MOSFET
・チャネル：N
・ドレインソース間電圧：40V
・ドレイン電流DC：250A
・ピークドレイン電流：750A
・ゲートソース間電圧：±20V
・ゲート漏れ電流：±1μA
・オン抵抗：0.6mΩ
・許容損失max.：375W
・実装タイプ：表面実装
・パッケージ：TO-220SM(W)
・パッケージタイプ：TO220
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