PchパワーMOSFET 20V0.4A 2SJ648-T1-A/JM
2SJ648は、2.5V電源系による直接駆動が可能なパワーMOSFETです。低オン抵抗(1.45Ω@VGS=-4.5V、ID=-0.2A)で、スイッチング特性に優れているため、ポータブル機器のパワー・スイッチ等に最適です。業界標準のSC-75(SOT-416)パッケージですので置き換えも容易です。
■主な仕様
・チャネル：P
・ドレインソース間電圧：-20V
・ドレイン電流DC：±400mA
・ピークドレイン電流：±1.6A
・ゲートソース間電圧：±12V
・ゲート漏れ電流：±10μA
・オン抵抗：1.17Ω
・許容損失max.：200mW
・実装タイプ：表面実装
・パッケージ：SC-75(SOT-416)
・パッケージタイプ：SOT523
半導体(モジュール)
/
FET
/
MOSFET
・チャネル：P
・ドレインソース間電圧：-20V
・ドレイン電流DC：±400mA
・ピークドレイン電流：±1.6A
・ゲートソース間電圧：±12V
・ゲート漏れ電流：±10μA
・オン抵抗：1.17Ω
・許容損失max.：200mW
・実装タイプ：表面実装
・パッケージ：SC-75(SOT-416)
・パッケージタイプ：SOT523
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