NchパワーMOSFET 80V58A TK6R8A08QM
東芝のTO-220パッケージ(フルモールド)、NchパワーMOSFETです。省エネを実現する低耐圧トレンチ構造のU-MOS X-Hプロセスにより低オン抵抗(4.1mΩ@VGS=10V)、低ゲート入力電荷量(54nC@VGS=10V)を実現しています。
■主な仕様
・チャネル：N
・ドレインソース間電圧：80V
・ドレイン電流DC：58A
・ピークドレイン電流：240A
・ゲートソース間電圧：±20V
・ゲート漏れ電流：±0.1μA
・オン抵抗：5.3mΩ
・許容損失max.：41W
・実装タイプ：スルーホール
・パッケージ：TO-220SIS
・パッケージタイプ：TO220
半導体(モジュール)
/
FET
/
NchFET(2SK)
/
MOSFET
/
Nch MOSFET
・チャネル：N
・ドレインソース間電圧：80V
・ドレイン電流DC：58A
・ピークドレイン電流：240A
・ゲートソース間電圧：±20V
・ゲート漏れ電流：±0.1μA
・オン抵抗：5.3mΩ
・許容損失max.：41W
・実装タイプ：スルーホール
・パッケージ：TO-220SIS
・パッケージタイプ：TO220
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