NchパワーMOSFET 40V120A TK1R4S04PB
TOSHIBAのシリコンNチャネルMOS形FETです。オン抵抗が低い(1.1mΩtyp)、漏れ電流が低い(10μAmax)といった特徴があります。Vthが低くロジック駆動に適しています。業界標準のTO-252(DPAK)パッケージですので置き換えも容易です。
■一覧
■主な仕様
・チャネル：N
・ドレインソース間電圧：40V
・ドレイン電流DC：120A
・ピークドレイン電流：240A
・ゲートソース間電圧：±20V
・ゲート漏れ電流：±1μA
・オン抵抗：1.3mΩ
・許容損失max.：180W
・実装タイプ：表面実装
・パッケージ：DPAK+(2-7M1A)
・パッケージタイプ：TO252
半導体(モジュール)
/
FET
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NchFET(2SK)
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MOSFET
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Nch MOSFET
・チャネル：N
・ドレインソース間電圧：40V
・ドレイン電流DC：120A
・ピークドレイン電流：240A
・ゲートソース間電圧：±20V
・ゲート漏れ電流：±1μA
・オン抵抗：1.3mΩ
・許容損失max.：180W
・実装タイプ：表面実装
・パッケージ：DPAK+(2-7M1A)
・パッケージタイプ：TO252
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